H7N0602LS データシート Renesas

H7N0602LS - RENESAS の商品詳細ページです。

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H7N0602LS の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番H7N0602LS
メーカーRENESAS
カテゴリスイッチ-その他IC
データシートProduct_list_pdf
Application Low Voltage General Switching
Automotive -
Case Connection DRAIN
Ciss(pF)typ. 9000
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 85 A
Drain Current-Max (ID) 85 A
Drain-source On Resistance-Max 0.009 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 85
JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
MountingType Surface Mount
Nch/Pch Nch
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pch(W) 100
Peak Reflow Temperature (Cel) 245
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 100 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 340 A
QG(nC)typ. 140
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V 5.2
RDS(ON)(mohm)max.@2.5Vor1.8V -
RDS(ON)(mohm)max.@4Vor4.5V 9
SeriesName -
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V)max. 60
VGSS(V) 20
Vgs(off)(V)max. 2.5
Webシミュレーション -
シミュレーションデータ -
ステータス 量産中
パッケージコード PRSS0004AE-B(LDPAK(S)-(1))
構成 Single
構成[素子] -
発注制約 Large order only
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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