H5N5001FM データシート Renesas

H5N5001FM - RENESAS の商品詳細ページです。

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H5N5001FM の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番H5N5001FM
メーカーRENESAS
カテゴリスイッチ-その他IC
データシートProduct_list_pdf
Application Automotive Use
Automotive -
Case Connection ISOLATED
Ciss(pF)typ. 580
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 500 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5 A
Drain Current-Max (ID) 5 A
Drain-source On Resistance-Max 1.5 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 5
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
MountingType -
Nch/Pch Nch
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Pch(W) 30
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 30 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20 A
QG(nC)typ. -
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V 1.5
RDS(ON)(mohm)[email protected] -
RDS(ON)(mohm)[email protected] -
SeriesName -
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V)max. 500
VGSS(V) -
Vgs(off)(V)max. -
Webシミュレーション -
シミュレーションデータ -
ステータス 量産中
パッケージコード PRSS0003AD-A(TO-220FM)
構成 Single
構成[素子] -
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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