H5N2508DL データシート

Name: H5N2508DL
Brand: RENESAS
SKU: 180064531-0000-0000-0000

H5N2508DL - RENESAS の商品詳細ページです。

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H5N2508DL の詳細情報

型番	H5N2508DL
メーカー	RENESAS
カテゴリ	スイッチ-その他IC
データシート
Application	-
Automotive	-
Case Connection	DRAIN
Ciss(pF)typ.	450
Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	250 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	7 A
Drain Current-Max (ID)	7 A
Drain-source On Resistance-Max	0.63 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	7
JESD-30 Code	R-PSIP-T3
JESD-609 Code	e0
Moisture Sensitivity Level	1
MountingType	Through Hole
Nch/Pch	Nch
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	IN-LINE Meter
Pch(W)	30
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	30 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	28 A
QG(nC)typ.	13
Qualification Status	Not Qualified
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V	630
RDS(ON)(mohm)[email protected]	-
RDS(ON)(mohm)[email protected]	-
SeriesName	-
Sub Category	FET General Purpose Power
Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)max.	250
VGSS(V)	30
Vgs(off)(V)max.	4.5
Webシミュレーション	-
シミュレーションデータ	-
ステータス	量産中
パッケージコード	PRSS0004ZD-B(DPAK(L)-(2))
構成	Single
構成[素子]	-
発注制約	-