| 型番 | H5N2507P-E |
|---|---|
| メーカー | RENESAS |
| データシート | ![]() |
| Configuration | SINGLE |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 50 A |
| Drain Current-Max (ID) | 50 A |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 150 W |
| Sub Category | FET General Purpose Power |
| Surface Mount | NO |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 |
| 資本金 | 100億円 |
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
| URL | http://am.renesas.com/ |
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