型番 | H5N2507P |
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メーカー | RENESAS |
カテゴリ | スイッチ-その他IC |
データシート | ![]() |
Application | - |
Automotive | - |
Ciss(pF)typ. | 5000 |
Configuration | SINGLE |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 50 A |
Drain Current-Max (ID) | 50 A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
ID(A) | 50 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
MountingType | Through Hole |
Nch/Pch | Nch |
Number of Elements | 1 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Pch(W) | 150 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 150 W |
QG(nC)typ. | 145 |
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V | 55 |
RDS(ON)(mohm)[email protected] | - |
RDS(ON)(mohm)[email protected] | - |
SeriesName | HV-MOS+FRD |
Sub Category | FET General Purpose Power |
Surface Mount | NO |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
VDSS(V)max. | 250 |
VGSS(V) | 30 |
Vgs(off)(V)max. | 4 |
Webシミュレーション | - |
シミュレーションデータ | - |
ステータス | 量産中 |
パッケージコード | PRSS0004ZE-A(TO-3P) |
構成 | Single |
構成[素子] | Built-In FRD |
発注制約 | - |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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