H5N2507P - RENESAS の商品詳細ページです。

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H5N2507P の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番H5N2507P
メーカーRENESAS
カテゴリスイッチ-その他IC
データシートProduct_list_pdf
Application -
Automotive -
Ciss(pF)typ. 5000
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 50 A
Drain Current-Max (ID) 50 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 50
Moisture Sensitivity Level 1
MountingType Through Hole
Nch/Pch Nch
Number of Elements 1
Operating Temperature-Max 150 Cel
Pch(W) 150
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 150 W
QG(nC)typ. 145
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V 55
RDS(ON)(mohm)[email protected] -
RDS(ON)(mohm)[email protected] -
SeriesName HV-MOS+FRD
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
VDSS(V)max. 250
VGSS(V) 30
Vgs(off)(V)max. 4
Webシミュレーション -
シミュレーションデータ -
ステータス 量産中
パッケージコード PRSS0004ZE-A(TO-3P)
構成 Single
構成[素子] Built-In FRD
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

H5N2507Pのレビュー

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