GA1F4M
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GA1F4M の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | GA1F4M |
|---|---|
| メーカー | RENESAS |
| データシート |  |
| Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| Collector Current-Max (IC) | 0.1 A |
| Collector-emitter Voltage-Max | 50 V |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 60 |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
| JESD-609 Code | e0 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | NPN |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN BISMUTH |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| Turn-off Time-Max (toff) | 6000 ns |
| Turn-on Time-Max (ton) | 400 ns |
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 |
| 資本金 | 100億円 |
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
| URL | http://am.renesas.com/ |
GA1F4Mのレビュー
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