GA1A4M-T2-A データシート Renesas

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GA1A4M-T2-A の詳細情報

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型番GA1A4M-T2-A
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
DC Current Gain-Min (hFE) 35
Number of Elements 1
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15 W
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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