型番 | FY4ADJ-03A |
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メーカー | RENESAS |
データシート | ![]() |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 4 A |
Drain Current-Max (ID) | 4 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.08 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
JESD-609 Code | e0 |
Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 8 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 1.6 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 28 A |
Qualification Status | Not Qualified |
Sub Category | Other Transistors |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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