FP1L3N-L - RENESAS の商品詳細ページです。

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FP1L3N-L の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番FP1L3N-L
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1277
Collector Current-Max (IC) 0.7 A
Collector-emitter Voltage-Max 25 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 100
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type PNP
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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