FP1L2Q - RENESAS の商品詳細ページです。

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FP1L2Q の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番FP1L2Q
メーカーRENESAS
カテゴリその他-トランジスタ
データシートProduct_list_pdf
(FET-1/FET-2)Ciss(pF)typ. -
(FET-1/FET-2)NF(dB)typ. -
(FET-1/FET-2)|yfs|(mS)typ. -
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Application -
Automotive YES
Category -
Ciss(pF)typ. -
Cob(pF)max. -
Cob(pF)typ. -
Collector Current-Max (IC) 0.7 A
Collector-emitter Voltage-Max 25 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 50
EquivalentCircuit B
FRDVf(V) -
FRDtrr(ns) -
Feature -
Function -
GateDrive -
IC(A)@100°C -
IC(A)@25°C -
ID(A) -
ID(mA) -
IDSS(µA)max. -
IDSS(µA)min. -
IDSS(mA) -
Ic(Peak)(A) -
Ic(mA) -700
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
MountingType -
NF(dB)typ. -
NPN/PNP -
Nch/Pch -
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
NumberofCircuits -
Operating Temperature-Max 150 Cel
PG(dB)typ. -
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pc(W) -
Pch(W) -
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W
Pt(mW) 200
QG(nC)typ. -
Qualification Status Not Qualified
R1(kOhm) 0.47
R2(kOhm) 4.7
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V -
RDS(ON)(mohm)[email protected] -
RDS(ON)(mohm)[email protected] -
RDS(ON)(ohm)typ.@10V/8V -
RDS(ON)(ohm)[email protected]/1.8V -
RDS(ON)(ohm)typ.@4V/4.5V -
SeriesName -
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
SurgeAbsorberDiode -
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Tsd(°C)typ. -
VCE(sat)(V)max. -
VCEO(V) -25
VCES(V) -
VDS(V) -
VDSS(V) -
VDSS(V)max. -
VDSX(V) -
VGSS(V) -
Vcbo(V) -25
Vce(sat)(V) -
Vebo(V) -10
Vgs(off)(V)max. -
Webシミュレーション -
fT(GHz)typ. -
fT(MHz)typ. -
fatNF(GHz) -
hFE -
hFEmax. -
hFEmin. -
hfe1max. -
hfe1min. 150
hfe1typ. 350
hfe2min. 100
hfe2typ. 300
tf(μs)typ. -
toff(μs)typ. -
tsc(μs) -
|yfs|(S)typ. -
シミュレーションデータ -
ステータス In Mass Production
パッケージコード PLSP0003ZD-A(P3C3-95-121)
構成 -
構成[素子] -
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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