CE1N2R
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CE1N2R の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | CE1N2R |
|---|---|
| メーカー | RENESAS |
| データシート |  |
| (FET-1/FET-2)Ciss(pF)typ. | - |
| (FET-1/FET-2)NF(dB)typ. | - |
| (FET-1/FET-2)|yfs|(mS)typ. | - |
| Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 14.7 |
| Application | Medium speed switching |
| Automotive | - |
| Category | - |
| Ciss(pF)typ. | - |
| Cob(pF)max. | - |
| Cob(pF)typ. | - |
| Collector Current-Max (IC) | 2 A |
| Collector-emitter Voltage-Max | 70 V |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 500 |
| EquivalentCircuit | - |
| FRDVf(V) | - |
| FRDtrr(ns) | - |
| Feature | |
| Function | - |
| GateDrive | |
| IC(A)@100°C | - |
| IC(A)@25°C | - |
| ID(A) | - |
| ID(mA) | - |
| IDSS(µA)max. | - |
| IDSS(µA)min. | - |
| IDSS(mA) | |
| Ic(Peak)(A) | |
| Ic(mA) | - |
| JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
| JESD-609 Code | e0 |
| MountingType | |
| NF(dB)typ. | |
| NPN/PNP | - |
| Nch/Pch | - |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| NumberofCircuits | - |
| PG(dB)typ. | |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE Meter |
| Pc(W) | - |
| Pch(W) | - |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | NPN |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 1 W |
| Pt(mW) | - |
| QG(nC)typ. | - |
| Qualification Status | Not Qualified |
| R1(kOhm) | 0 |
| R2(kOhm) | 0 |
| RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V | - |
| RDS(ON)(mohm)[email protected] | - |
| RDS(ON)(mohm)[email protected] | - |
| RDS(ON)(ohm)typ.@10V/8V | |
| RDS(ON)(ohm)[email protected]/1.8V | |
| RDS(ON)(ohm)typ.@4V/4.5V | |
| SeriesName | - |
| Sub Category | BIP General Purpose Small Signal |
| Surface Mount | NO |
| SurgeAbsorberDiode | - |
| Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| Tsd(°C)typ. | |
| VCE(sat)(V)max. | - |
| VCEO(V) | - |
| VCES(V) | - |
| VDS(V) | |
| VDSS(V) | |
| VDSS(V)max. | - |
| VDSX(V) | - |
| VGSS(V) | - |
| Vcbo(V) | - |
| Vce(sat)(V) | - |
| Vebo(V) | - |
| Vgs(off)(V)max. | - |
| Webシミュレーション | |
| fT(GHz)typ. | - |
| fT(MHz)typ. | - |
| fatNF(GHz) | - |
| hFE | - |
| hFEmax. | - |
| hFEmin. | - |
| hfe1max. | - |
| hfe1min. | - |
| hfe1typ. | - |
| hfe2min. | - |
| hfe2typ. | - |
| tf(μs)typ. | - |
| toff(μs)typ. | |
| tsc(μs) | - |
| |yfs|(S)typ. | |
| シミュレーションデータ | |
| ステータス | |
| パッケージコード | |
| 構成 | - |
| 構成[素子] | - |
| 発注制約 |
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 |
| 資本金 | 100億円 |
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
| URL | http://am.renesas.com/ |
CE1N2Rのレビュー
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