AA1L3N - RENESAS の商品詳細ページです。

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AA1L3N の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番AA1L3N
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 2.12
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max 50 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 80
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style CYLINDRICAL Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type NPN
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Max (toff) 6000 ns
Turn-on Time-Max (ton) 200 ns
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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