型番 | 3SK324 |
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メーカー | RENESAS |
カテゴリ | FET |
データシート | ![]() |
(FET-1/FET-2)Ciss(pF)typ. | - |
(FET-1/FET-2)NF(dB)typ. | - |
(FET-1/FET-2)|yfs|(mS)typ. | - |
Additional Feature | LOW NOISE |
Application | - |
Automotive | - |
Case Connection | SOURCE |
Ciss(pF)typ. | - |
Configuration | SINGLE |
DS Breakdown Voltage-Min | 6 V |
Drain Current-Max (ID) | 0.02 A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Highest Frequency Band | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
ID(A) | - |
IDSS(mA) | - |
JESD-30 Code | R-PDSO-G4 |
JESD-609 Code | e6 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
MountingType | - |
NF(dB)typ. | - |
Nch/Pch | - |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 4 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
PG(dB)typ. | - |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Pch(W) | - |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Gain-Min (Gp) | 20 dB |
Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 20 |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
VDS(V) | - |
VDSX(V) | - |
VGSS(V) | - |
Vgs(off)(V)max. | - |
fatNF(GHz) | - |
|yfs|(S)typ. | - |
シミュレーションデータ | - |
ステータス | 量産中 |
パッケージコード | - |
構成 | - |
構成[素子] | - |
発注制約 | - |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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