3SK245 データシート Renesas

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3SK245 の詳細情報

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型番3SK245
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Case Connection SOURCE
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.025 A
Drain Current-Max (ID) 0.025 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 0.03 pF
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code R-PDSO-G4
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Operating Mode DUAL GATE, DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 0.13 W
Power Gain-Min (Gp) 20 dB
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET RF Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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