3SK205 - RENESAS の商品詳細ページです。

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3SK205 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番3SK205
メーカーRENESAS
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 10 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 25 A
Drain Current-Max (ID) 25 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 0.035 pF
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code O-PRDB-F4
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style DISK BUTTON Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 0.2 W
Power Gain-Min (Gp) 16 dB
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position RADIAL
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material GALLIUM ARSENIDE
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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