Nチャネル電界効果型トランジスタ
型番 | 2SK222580ET2 |
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メーカー | RENESAS |
種別 | Nチャネル トランジスタ |
データシート | ![]() |
Case Connection | ISOLATED |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 1500 V |
Drain Current-Max (ID) | 2 A |
Drain-source On Resistance-Max | 12 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 7 A |
Surface Mount | NO |
Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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