Nチャネル電界効果型トランジスタ
型番 | 2SK1954ZE1 |
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メーカー | RENESAS |
種別 | Nチャネル トランジスタ |
データシート | ![]() |
Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Drain-source On Resistance-Max | 0.65 ohm |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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