2SK1337TZ-E データシート Renesas

2SK1337TZ-E - RENESAS の商品詳細ページです。

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2SK1337TZ-E
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Nチャネル電界効果型トランジスタ

2SK1337TZ-E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK1337TZ-E
メーカーRENESAS
種別Nチャネル トランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 100 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.3 A
Drain Current-Max (ID) 0.3 A
Drain-source On Resistance-Max 6.5 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-W3
JESD-609 Code e6
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style CYLINDRICAL Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.4 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form WIRE
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

2SK1337TZ-Eのレビュー

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