2SK1215IGETL データシート Renesas

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Nチャネル電界効果型トランジスタ

2SK1215IGETL の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SK1215IGETL
メーカーRENESAS
種別Nチャネル トランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 0.03 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode DEPLETION MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Gain-Min (Gp) 24 dB
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

2SK1215IGETLのレビュー

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