2SK1162 データシート

Name: 2SK1162
Brand: RENESAS
SKU: 30115226-0000-0000-0000

2SK1162 - RENESAS の商品詳細ページです。

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Nチャネル電界効果型トランジスタ

2SK1162 の詳細情報

型番	2SK1162
メーカー	RENESAS
カテゴリ	スイッチ-その他IC
種別	Nチャネルトランジスタ
データシート
Application	-
Automotive	-
Case Connection	DRAIN
Ciss(pF)typ.	1050
Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	500 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	10 A
Drain Current-Max (ID)	10 A
Drain-source On Resistance-Max	0.9 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	10
JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e0
Moisture Sensitivity Level	1
MountingType	Through Hole
Nch/Pch	Nch
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	FLANGE MOUNT Meter
Pch(W)	100
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	100 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	30 A
QG(nC)typ.	-
Qualification Status	Not Qualified
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V	900
RDS(ON)(mohm)[email protected]	-
RDS(ON)(mohm)[email protected]	-
SeriesName	-
Sub Category	FET General Purpose Power
Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)max.	500
VGSS(V)	30
Vgs(off)(V)max.	3
Webシミュレーション	-
シミュレーションデータ	-
ステータス	量産中
パッケージコード	PRSS0004ZE-A(TO-3P)
構成	Single
構成[素子]	Built-In SBD
発注制約	-