Nチャネル電界効果型トランジスタ
| 型番 | 2SK1109J34 |
|---|---|
| メーカー | RENESAS |
| 種別 | Nチャネル トランジスタ |
| データシート | ![]() |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| Drain Current-Max (ID) | 0.01 A |
| FET Technology | JUNCTION |
| JESD-30 Code | R-PDFP-F3 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | DEPLETION MODE |
| Operating Temperature-Max | 125 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | FLATPACK Meter |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL |
| Transistor Element Material | SILICON |
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 |
| 資本金 | 100億円 |
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
| URL | http://am.renesas.com/ |
2SK1109J34 - RENESAS の商品詳細ページです。