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Pチャネル電界効果型トランジスタ

2SJ649 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SJ649
メーカーRENESAS
カテゴリスイッチ-その他IC
種別Pチャネル トランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Application Low Voltage General Switching
Automotive -
Avalanche Energy Rating (Eas) 40 mJ
Case Connection ISOLATED
Ciss(pF)typ. 1900
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 20 A
Drain Current-Max (ID) 20 A
Drain-source On Resistance-Max 0.075 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -20
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0
MountingType Through Hole
Nch/Pch Pch
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Pch(W) 25
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 25 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 70 A
QG(nC)typ. 38
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V 48
RDS(ON)(mohm)[email protected] -
RDS(ON)(mohm)[email protected] 75
SeriesName -
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V)max. -60
VGSS(V) -20
Vgs(off)(V)max. -2.5
Webシミュレーション -
シミュレーションデータ SPICE
ステータス 量産中
パッケージコード PRSS0003AK-A(P3JB-254-212)
構成 Single
構成[素子] -
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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