2SJ625
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Pチャネル電界効果型トランジスタ
2SJ625 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | 2SJ625 |
|---|---|
| メーカー | RENESAS |
| カテゴリ | スイッチ-その他IC |
| 種別 | Pチャネル トランジスタ |
| データシート |  |
| Application | Low Voltage General Switching |
| Automotive | YES |
| Ciss(pF)typ. | 348 |
| Configuration | SINGLE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 20 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 3 A |
| Drain Current-Max (ID) | 3 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.314 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| ID(A) | -3 |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
| JESD-609 Code | e0 |
| MountingType | Surface Mount |
| Nch/Pch | Pch |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Pch(W) | 0.2 |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 1.25 W |
| QG(nC)typ. | 2.6 |
| Qualification Status | Not Qualified |
| RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V | - |
| RDS(ON)(mohm)[email protected] | 171 |
| RDS(ON)(mohm)[email protected] | 113 |
| SeriesName | - |
| Sub Category | Other Transistors |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| VDSS(V)max. | -20 |
| VGSS(V) | 8 |
| Vgs(off)(V)max. | -1.5 |
| Webシミュレーション | - |
| シミュレーションデータ | SPICE |
| ステータス | 量産中 |
| パッケージコード | PTSP0003ZC-A(P3C3-95-111) |
| 構成 | Single |
| 構成[素子] | - |
| 発注制約 | - |
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 |
| 資本金 | 100億円 |
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
| URL | http://am.renesas.com/ |
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