Pチャネル電界効果型トランジスタ
型番 | 2SJ598 |
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メーカー | RENESAS |
カテゴリ | スイッチ-その他IC |
種別 | Pチャネル トランジスタ |
データシート | ![]() |
Application | Low Voltage General Switching |
Automotive | - |
Case Connection | DRAIN |
Ciss(pF)typ. | 720 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 12 A |
Drain Current-Max (ID) | 12 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.19 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 50 pF |
ID(A) | -12 |
JEDEC-95 Code | TO-251 |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
JESD-609 Code | e0 |
MountingType | Through Hole |
Nch/Pch | Pch |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | IN-LINE Meter |
Pch(W) | 23 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation Ambient-Max | 1 W |
Power Dissipation-Max (Abs) | 23 W |
QG(nC)typ. | 15 |
Qualification Status | Not Qualified |
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V | 130 |
RDS(ON)(mohm)[email protected] | - |
RDS(ON)(mohm)[email protected] | 190 |
SeriesName | - |
Sub Category | Other Transistors |
Surface Mount | NO |
Terminal Finish | TIN LEAD |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
VDSS(V)max. | -60 |
VGSS(V) | -20 |
Vgs(off)(V)max. | -2.5 |
Webシミュレーション | - |
シミュレーションデータ | SPICE |
ステータス | 量産中 |
パッケージコード | PRSS0004ZM-A(P3J5-230-112) |
構成 | Single |
構成[素子] | - |
発注制約 | - |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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