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Pチャネル電界効果型トランジスタ

2SJ574BPTL-E の詳細情報

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型番2SJ574BPTL-E
メーカーRENESAS
種別Pチャネル トランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.3 A
Drain Current-Max (ID) 0.3 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Operating Temperature-Max 150 Cel
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.4 W
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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