Pチャネル電界効果型トランジスタ
型番 | 2SJ574 |
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メーカー | RENESAS |
カテゴリ | スイッチ-その他IC |
種別 | Pチャネル トランジスタ |
データシート | ![]() |
Application | Low Voltage General Switching |
Automotive | - |
Ciss(pF)typ. | 50 |
Configuration | SINGLE |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 0.3 A |
Drain Current-Max (ID) | 0.3 A |
Drain-source On Resistance-Max | 3.1 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
ID(A) | -0.3 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
MountingType | Surface Mount |
Nch/Pch | Pch |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Pch(W) | 0.4 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.4 W |
QG(nC)typ. | - |
Qualification Status | Not Qualified |
RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V | 1300 |
RDS(ON)(mohm)[email protected] | - |
RDS(ON)(mohm)[email protected] | 3100 |
SeriesName | - |
Sub Category | Other Transistors |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 20 |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
VDSS(V)max. | -30 |
VGSS(V) | 20 |
Vgs(off)(V)max. | -2.3 |
Webシミュレーション | - |
シミュレーションデータ | - |
ステータス | 量産中 |
パッケージコード | PLSP0003ZB-A(MPAK(T)V) |
構成 | Single |
構成[素子] | Built-In SBD |
発注制約 | Large order only |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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