 
  Pチャネル電界効果型トランジスタ
| 型番 | 2SJ529L | 
|---|---|
| メーカー | RENESAS | 
| カテゴリ | スイッチ-その他IC | 
| 種別 | Pチャネル トランジスタ | 
| データシート |  | 
| Application | Low Voltage General Switching | 
| Automotive | - | 
| Case Connection | DRAIN | 
| Ciss(pF)typ. | 580 | 
| Configuration | SINGLE | 
| DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | 
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 10 A | 
| Drain Current-Max (ID) | 10 A | 
| Drain-source On Resistance-Max | 0.24 ohm | 
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 
| ID(A) | -10 | 
| JESD-30 Code | R-PSIP-T3 | 
| JESD-609 Code | e0 | 
| Moisture Sensitivity Level | 1 | 
| MountingType | Through Hole | 
| Nch/Pch | Pch | 
| Number of Elements | 1 | 
| Number of Terminals | 3 | 
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | 
| Operating Temperature-Max | 150 Cel | 
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | 
| Package Shape | RECTANGULAR | 
| Package Style | IN-LINE Meter | 
| Pch(W) | 20 | 
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | 
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | 
| Power Dissipation-Max (Abs) | 20 W | 
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 40 A | 
| QG(nC)typ. | - | 
| Qualification Status | Not Qualified | 
| RDS(ON)(mohm)max.@10Vor8V | 160 | 
| RDS(ON)(mohm)[email protected] | - | 
| RDS(ON)(mohm)[email protected] | 240 | 
| SeriesName | - | 
| Sub Category | Other Transistors | 
| Surface Mount | NO | 
| Terminal Finish | TIN LEAD | 
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | 
| Terminal Position | SINGLE | 
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | 
| Transistor Application | SWITCHING | 
| Transistor Element Material | SILICON | 
| VDSS(V)max. | -60 | 
| VGSS(V) | 20 | 
| Vgs(off)(V)max. | -2 | 
| Webシミュレーション | - | 
| シミュレーションデータ | - | 
| ステータス | 量産中 | 
| パッケージコード | PRSS0004ZD-B(DPAK(L)-(2)) | 
| 構成 | Single | 
| 構成[素子] | - | 
| 発注制約 | - | 
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 | 
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 | 
| 資本金 | 100億円 | 
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 | 
| URL | http://am.renesas.com/ | 
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