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Pチャネル電界効果型トランジスタ

2SJ460 の詳細情報

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型番2SJ460
メーカーRENESAS
種別Pチャネル トランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature ESD PROTECTED, HIGH INPUT IMPEDANCE
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 50 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.1 A
Drain Current-Max (ID) 0.1 A
Drain-source On Resistance-Max 50 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSIP-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.25 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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