2SJ357-T1-AZ Renesas

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Pチャネル電界効果型トランジスタ|AZ:RohS対応品、かつ外部端子に鉛を含有していない製品

2SJ357-T1-AZ の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SJ357-T1-AZ
メーカーRENESAS
種別Pチャネル トランジスタ
Additional Feature ESD PROTECTED
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 3 A
Drain-source On Resistance-Max 0.35 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSSO-F3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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