2SJ331
データシート
1
-
- 個
２営業日以内に回答いたします
Pチャネル電界効果型トランジスタ
2SJ331 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | 2SJ331 |
|---|---|
| メーカー | RENESAS |
| 種別 | Pチャネル トランジスタ |
| データシート |  |
| Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 30 A |
| Drain Current-Max (ID) | 30 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.03 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
| JESD-609 Code | e0 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | FLANGE MOUNT Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 150 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 120 A |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Sub Category | Other Transistors |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | TIN LEAD |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 |
| 資本金 | 100億円 |
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
| URL | http://am.renesas.com/ |
2SJ331のレビュー
2SJ331 のご注文について
050-3612-7934
045-263-9989
2SJ331 - RENESAS の商品詳細ページです。