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NPN型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SD669AB の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SD669AB
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 1.5 A
Collector-base Capacitance-Max 14 pF
Collector-emitter Voltage-Max 160 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 30
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-T3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CYLINDRICAL Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 0.001 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.001 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form FLAT
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material GERMANIUM
Transition Frequency-Nom (fT) 140 MHz
VCEsat-Max 1 V
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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