2SD655E Renesas

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NPN型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SD655E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SD655E
メーカーRENESAS
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
Automotive -
Cob(pF)typ. -
Collector Current-Max (IC) 0.7 A
Collector-emitter Voltage-Max 15 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 400
IC(A)@25°C 0.7
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-T3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
NPN/PNP NPN
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style CYLINDRICAL Meter
Pc(W) 0.5
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.5 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin (Sn) over Copper (Cu)
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 250 MHz
VCE(sat)(V)max. -
VCEO(V) 15
Vcbo(V) -
Vebo(V) -
fT(GHz)typ. 0.25
fT(MHz)typ. -
hFEmax. 1200
hFEmin. 250
シミュレーションデータ -
ステータス Non-promotion
パッケージコード -
発注制約 Large order only
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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