2SD2163 - RENESAS の商品詳細ページです。

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NPN型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SD2163 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SD2163
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Case Connection ISOLATED
Collector Current-Max (IC) 10 A
Collector-emitter Voltage-Max 100 V
Configuration DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 1000
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 225
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 30 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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