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NPN型バイポーラトランジスタ | 低周波用|hFE2(直流電流増幅率)160~320

2SD1899-L の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SD1899-L
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 3 A
Collector-emitter Voltage-Max 60 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 160
JEDEC-95 Code TO-252
JESD-30 Code R-PDSO-G2
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 1 W
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 120 MHz
Turn-off Time-Max (toff) 2500 ns
Turn-on Time-Max (ton) 500 ns
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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