NPN型バイポーラトランジスタ | 低周波用|hFE2(直流電流増幅率)200~400
型番 | 2SD1899-K |
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メーカー | RENESAS |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | ![]() |
Collector Current-Max (IC) | 3 A |
Collector-emitter Voltage-Max | 60 V |
Configuration | SINGLE |
DC Current Gain-Min (hFE) | 200 |
JEDEC-95 Code | TO-252 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G2 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Operating Temperature-Min | -55 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | NPN |
Power Dissipation-Max (Abs) | 1 W |
Sub Category | Other Transistors |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Transistor Element Material | SILICON |
Transition Frequency-Nom (fT) | 120 MHz |
Turn-off Time-Max (toff) | 2500 ns |
Turn-on Time-Max (ton) | 500 ns |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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