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NPN型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SD1584-Z の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SD1584-Z
メーカーRENESAS
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Automotive YES
Case Connection COLLECTOR
Cob(pF)typ. 20
Collector Current-Max (IC) 3 A
Collector-emitter Voltage-Max 60 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 500
IC(A)@25°C 3
JEDEC-95 Code TO-252AA
JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
NPN/PNP NPN
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pc(W) 10
Peak Reflow Temperature (Cel) 225
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 2 W
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 50 MHz
VCE(sat)(V)max. 0.5
VCEO(V) 60
Vcbo(V) 60
Vebo(V) 7
fT(GHz)typ. -
fT(MHz)typ. 120
hFEmax. 3200
hFEmin. 800
シミュレーションデータ -
ステータス In Mass Production
パッケージコード PRSS0004ZM-B(P3J5-230-212)
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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