2SD1164-Z L データシート Renesas

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NPN型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SD1164-Z L の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SD1164-Z L
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 50
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 2 A
Collector-emitter Voltage-Max 60 V
Configuration DARLINGTON
DC Current Gain-Min (hFE) 4000
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 2 W
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VCEsat-Max 1.5 V
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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