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NPN型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SD1007-HQ(T1-AZ) の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SD1007-HQ(T1-AZ)
メーカーRENESAS
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Automotive -
Case Connection COLLECTOR
Cob(pF)typ. 10
Collector Current-Max (IC) 0.7 A
Collector-emitter Voltage-Max 120 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 135
IC(A)@25°C 0.7
JESD-30 Code R-PSSO-F3
JESD-609 Code e6
NPN/PNP NPN
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pc(W) 2
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form FLAT
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 90 MHz
VCE(sat)(V)max. 0.6
VCEO(V) 120
Vcbo(V) -
Vebo(V) -
fT(GHz)typ. 0.09
fT(MHz)typ. 90
hFEmax. 400
hFEmin. 90
シミュレーションデータ SPICE
ステータス 量産中
パッケージコード PLZZ0004CC-A(P3C4-150-212)
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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