2SC5945TR-E データシート Renesas

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NPN型バイポーラトランジスタ | 高周波用

2SC5945TR-E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SC5945TR-E
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Case Connection EMITTER
Collector Current-Max (IC) 0.5 A
Collector-emitter Voltage-Max 5 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 110
Highest Frequency Band S BAND
JESD-30 Code S-PBCC-N7
Number of Elements 1
Number of Terminals 7
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape SQUARE
Package Style CHIP CARRIER Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 1 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 15500 MHz
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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