2SC535 データシート Renesas

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NPN型バイポーラトランジスタ | 高周波用

2SC535 の詳細情報

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  • メーカー情報
型番2SC535
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 0.02 A
Collector-base Capacitance-Max 1.2 pF
Collector-emitter Voltage-Max 20 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 10
Highest Frequency Band VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CYLINDRICAL Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 25 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.1 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 30 MHz
Turn-off Time-Max (toff) 2300 ns
VCEsat-Max 0.25 V
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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