NPN型バイポーラトランジスタ | 高周波用
| 型番 | 2SC4552 | 
|---|---|
| メーカー | RENESAS | 
| カテゴリ | バイポーラ | 
| 種別 | バイポーラトランジスタ | 
| データシート | ![]()  | 
| Automotive | YES | 
| Case Connection | ISOLATED | 
| Cob(pF)typ. | 180 | 
| Collector Current-Max (IC) | 15 A | 
| Collector-emitter Voltage-Max | 60 V | 
| Configuration | SINGLE | 
| DC Current Gain-Min (hFE) | 60 | 
| IC(A)@25°C | 15 | 
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | 
| JESD-609 Code | e0 | 
| Moisture Sensitivity Level | 1 | 
| NPN/PNP | NPN | 
| Number of Elements | 1 | 
| Number of Terminals | 3 | 
| Operating Temperature-Max | 150 Cel | 
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | 
| Package Shape | RECTANGULAR | 
| Package Style | FLANGE MOUNT Meter | 
| Pc(W) | 30 | 
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 225 | 
| Polarity/Channel Type | NPN | 
| Power Dissipation-Max (Abs) | 30 W | 
| Qualification Status | Not Qualified | 
| Sub Category | Other Transistors | 
| Surface Mount | NO | 
| Terminal Finish | TIN LEAD | 
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | 
| Terminal Position | SINGLE | 
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 | 
| Transistor Application | SWITCHING | 
| Transistor Element Material | SILICON | 
| Transition Frequency-Nom (fT) | 120 MHz | 
| VCE(sat)(V)max. | 0.5 | 
| VCEO(V) | 60 | 
| Vcbo(V) | 100 | 
| Vebo(V) | 7 | 
| fT(GHz)typ. | - | 
| fT(MHz)typ. | 120 | 
| hFEmax. | 400 | 
| hFEmin. | 100 | 
| シミュレーションデータ | SPICE | 
| ステータス | In Mass Production | 
| パッケージコード | PRSS0003AK-A(P3JB-254-212) | 
| 発注制約 | - | 
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 | 
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 | 
| 資本金 | 100億円 | 
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 | 
| URL | http://am.renesas.com/ | 
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