2SC4093-T1-A データシート Renesas

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2SC4093-T1-A
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NPN型バイポーラトランジスタ | 高周波用|末尾A：鉛フリー品

2SC4093-T1-A の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SC4093-T1-A
メーカーRENESAS
カテゴリRF
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOW NOISE
Application UHF
CG(dB) -
CircuitCurrent(mA) -
Ciss(pF)typ. -
Cob(pF)max. -
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-base Capacitance-Max 0.95 pF
Collector-emitter Voltage-Max 12 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 50
Device type Bipolar
Divideratio -
Frequency(MHz)max. -
Frequency(MHz)min. -
Function Bip. Tr.
GCR(dB) -
GL(dB) -
GMAX(dB) -
Ga(dB)typ. -
Gp(dB) -
Grouping Low Noise
Gv(dB) -
Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
IDD(mA) -
IDSS(mA)max. -
IDSS(mA)min. -
ID[A] -
IM3(dBc) -
ISL D/U(dB) -
ISL(dB) -
Ic(A) 0.1
Ic2(A) -
JESD-30 Code R-PDSO-G4
JESD-609 Code e6
Lins(dB) -
Moisture Sensitivity Level 1
NF(dB)typ. 1.1
NF2(dB)typ. -
NPN/PNP NPN
Nch/Pch -
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Nv(dB) -
OIP3(dBm) -
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pc(W) -
Pch(W) -
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin at Pout(mW) -
Pin(0.1dB) -
Pin1dB(dBm) -
Polarity/Channel Type NPN
Posat(dBm) -
Pout (W)typ. -
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Switch type -
Targetapplication General Purpose,TV Tuner
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 7000 MHz
VCE(sat)(V) -
VCEO2(V) -
VCEO[V] 12
VDD at Pout(V) -
VDD(V) -
VDS(V)max. -
VDSS(V) max. -
VDS[V] -
Vo(Vp-p) -
Voltage(V)max. -
Voltage(V)min. -
Voltage(V)typ. -
f at CG(MHz) -
f at GCR(MHz) -
f at GL(MHz) -
f at GMAX(MHz) -
f at Ga(GHz) -
f at Gp(GHz) -
f at IIP3(MHz) -
f at ISL D/U(GHz) -
f at ISL(GHz) -
f at Lins(GHz) -
f at NF(GHz) 1
f at NF(MHz) -
f at NV(MHz) -
f at OIP3(MHz) -
f at Pin(GHz) -
f at Pin1dB(GHz) -
f at Po(MHz) -
f at Posat(GHz) -
f at Pout(GHz) -
f at Pout(MHz) -
fT(GHz)typ. 6.5
fT2(GHz)typ. -
hFEmax. 250
hFEmin. 50
|yfs|(S)typ. -
ステータス 量産中
備考 -
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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