NPN型バイポーラトランジスタ | 高周波用
型番 | 2SC2780 |
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メーカー | RENESAS |
カテゴリ | バイポーラ |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | ![]() |
Automotive | YES |
Case Connection | COLLECTOR |
Cob(pF)typ. | 2.3 |
Collector Current-Max (IC) | 0.05 A |
Collector-emitter Voltage-Max | 140 V |
Configuration | SINGLE |
DC Current Gain-Min (hFE) | 90 |
IC(A)@25°C | 0.05 |
JESD-30 Code | R-PSSO-F3 |
JESD-609 Code | e0 |
NPN/PNP | NPN |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Pc(W) | 2 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | NPN |
Power Dissipation Ambient-Max | 2 W |
Power Dissipation-Max (Abs) | 2 W |
Qualification Status | Not Qualified |
Sub Category | Other Transistors |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | MATTE TIN/TIN BISMUTH |
Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
Transition Frequency-Nom (fT) | 120 MHz |
VCE(sat)(V)max. | 0.6 |
VCEO(V) | 140 |
VCEsat-Max | 0.6 V |
Vcbo(V) | - |
Vebo(V) | - |
fT(GHz)typ. | 0.12 |
fT(MHz)typ. | 120 |
hFEmax. | 400 |
hFEmin. | 90 |
シミュレーションデータ | - |
ステータス | 量産中 |
パッケージコード | PLZZ0004CC-A(P3C4-150-212) |
発注制約 | - |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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