NPN型バイポーラトランジスタ | 高周波用
型番 | 2SC2308C |
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メーカー | RENESAS |
カテゴリ | バイポーラ |
種別 | バイポーラトランジスタ |
Automotive | - |
Cob(pF)typ. | - |
Collector Current-Max (IC) | 0.1 A |
Collector-emitter Voltage-Max | 50 V |
Configuration | SINGLE |
DC Current Gain-Min (hFE) | 160 |
IC(A)@25°C | 0.1 |
JEDEC-95 Code | TO-92 |
JESD-30 Code | O-PBCY-T3 |
JESD-609 Code | e0 |
NPN/PNP | NPN |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Temperature-Max | 125 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | ROUND |
Package Style | CYLINDRICAL Meter |
Pc(W) | 0.2 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
Polarity/Channel Type | NPN |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.2 W |
Qualification Status | Not Qualified |
Sub Category | Other Transistors |
Surface Mount | NO |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | BOTTOM |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
Transition Frequency-Nom (fT) | 230 MHz |
VCE(sat)(V)max. | - |
VCEO(V) | 50 |
Vcbo(V) | - |
Vebo(V) | - |
fT(GHz)typ. | 0.23 |
fT(MHz)typ. | - |
hFEmax. | 320 |
hFEmin. | 100 |
シミュレーションデータ | - |
ステータス | Non-promotion |
パッケージコード | - |
発注制約 | - |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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