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2SC2223-T1B-A - RENESAS の商品詳細ページです。

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NPN型バイポーラトランジスタ | 高周波用|末尾A:鉛フリー品|SC-62(3pin PoMM) | 4.5mm x 4.0mm(4.5 x 2.5)

2SC2223-T1B-A の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SC2223-T1B-A
メーカーRENESAS
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Automotive -
Cob(pF)typ. 1
Collector Current-Max (IC) 0.02 A
Collector-base Capacitance-Max 1 pF
Collector-emitter Voltage-Max 20 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 40
Highest Frequency Band HIGH FREQUENCY BAND
IC(A)@25°C 0.02
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e6
NPN/PNP NPN
Number of Elements 3
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pc(W) 0.15
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 0.15 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15 W
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 600 MHz
VCE(sat)(V)max. 0.3
VCEO(V) 20
VCEsat-Max 0.3 V
Vcbo(V) -
Vebo(V) -
fT(GHz)typ. 0.6
fT(MHz)typ. 600
hFEmax. 180
hFEmin. 40
シミュレーションデータ -
ステータス In Mass Production
パッケージコード PLSP0003ZD-A(P3C3-95-121)
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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