NPN型バイポーラトランジスタ | 高周波用|末尾A:鉛フリー品|SC-62(3pin PoMM) | 4.5mm x 4.0mm(4.5 x 2.5)
型番 | 2SC2223-T1B-A |
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メーカー | RENESAS |
カテゴリ | バイポーラ |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | ![]() |
Automotive | - |
Cob(pF)typ. | 1 |
Collector Current-Max (IC) | 0.02 A |
Collector-base Capacitance-Max | 1 pF |
Collector-emitter Voltage-Max | 20 V |
Configuration | SINGLE |
DC Current Gain-Min (hFE) | 40 |
Highest Frequency Band | HIGH FREQUENCY BAND |
IC(A)@25°C | 0.02 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
JESD-609 Code | e6 |
NPN/PNP | NPN |
Number of Elements | 3 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Temperature-Max | 125 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Pc(W) | 0.15 |
Polarity/Channel Type | NPN |
Power Dissipation Ambient-Max | 0.15 W |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.15 W |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
Transition Frequency-Nom (fT) | 600 MHz |
VCE(sat)(V)max. | 0.3 |
VCEO(V) | 20 |
VCEsat-Max | 0.3 V |
Vcbo(V) | - |
Vebo(V) | - |
fT(GHz)typ. | 0.6 |
fT(MHz)typ. | 600 |
hFEmax. | 180 |
hFEmin. | 40 |
シミュレーションデータ | - |
ステータス | In Mass Production |
パッケージコード | PLSP0003ZD-A(P3C3-95-121) |
発注制約 | - |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
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設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
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