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NPN型バイポーラトランジスタ | 高周波用|hFE1(直流電流増幅率)90~180

2SC2002-M の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SC2002-M
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.3 A
Collector-base Capacitance-Max 15 pF
Collector-emitter Voltage-Max 60 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 30
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style CYLINDRICAL Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.6 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 140 MHz
VCEsat-Max 0.6 V
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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