2SC1654-T1B データシート Renesas

2SC1654-T1B - RENESAS の商品詳細ページです。

1
No Image
2営業日以内に回答いたします

NPN型バイポーラトランジスタ | 高周波用|SC-62(3pin PoMM) | 4.5mm x 4.0mm(4.5 x 2.5)

2SC1654-T1B の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SC1654-T1B
メーカーRENESAS
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Automotive YES
Cob(pF)typ. 2.3
Collector Current-Max (IC) 0.05 A
Collector-emitter Voltage-Max 160 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 70
IC(A)@25°C 0.05
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
NPN/PNP NPN
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pc(W) 0.15
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 120 MHz
VCE(sat)(V)max. 0.3
VCEO(V) 160
VCEsat-Max 0.3 V
Vcbo(V) -
Vebo(V) -
fT(GHz)typ. 0.12
fT(MHz)typ. 120
hFEmax. 400
hFEmin. 90
シミュレーションデータ -
ステータス In Mass Production
パッケージコード PLSP0003ZD-A(P3C3-95-121)
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

2SC1654-T1Bのレビュー

2SC1654-T1B のご注文について