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PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SB963-Z の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SB963-Z
メーカーRENESAS
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.033
Automotive -
Case Connection COLLECTOR
Cob(pF)typ. -
Collector Current-Max (IC) 1 A
Collector-emitter Voltage-Max 60 V
Configuration DARLINGTON
DC Current Gain-Min (hFE) 2000
IC(A)@25°C -1
JEDEC-95 Code TO-252AA
JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e0
NPN/PNP PNP
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pc(W) 1
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation Ambient-Max 2 W
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VCE(sat)(V)max. -1.5
VCEO(V) -60
Vcbo(V) -60
Vebo(V) -8
fT(GHz)typ. -
fT(MHz)typ. -
hFEmax. 30000
hFEmin. 2000
シミュレーションデータ -
ステータス In Mass Production
パッケージコード PRSS0004ZM-B(P3J5-230-212)
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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