PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用
| 型番 | 2SB857C | 
|---|---|
| メーカー | RENESAS | 
| 種別 | バイポーラトランジスタ | 
| データシート | ![]()  | 
| Case Connection | COLLECTOR | 
| Collector Current-Max (IC) | 4 A | 
| Collector-emitter Voltage-Max | 50 V | 
| Configuration | SINGLE | 
| DC Current Gain-Min (hFE) | 100 | 
| JEDEC-95 Code | TO-126 | 
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | 
| JESD-609 Code | e0 | 
| Moisture Sensitivity Level | 1 | 
| Number of Elements | 1 | 
| Number of Terminals | 2 | 
| Operating Temperature-Max | 150 Cel | 
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | 
| Package Shape | RECTANGULAR | 
| Package Style | FLANGE MOUNT Meter | 
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | 
| Polarity/Channel Type | PNP | 
| Power Dissipation Ambient-Max | 40 W | 
| Power Dissipation-Max (Abs) | 10 W | 
| Qualification Status | Not Qualified | 
| Sub Category | Other Transistors | 
| Surface Mount | NO | 
| Terminal Finish | TIN LEAD | 
| Terminal Form | GULL WING | 
| Terminal Position | SINGLE | 
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | 
| Transistor Application | AMPLIFIER | 
| Transistor Element Material | SILICON | 
| Transition Frequency-Nom (fT) | 15 MHz | 
| VCEsat-Max | 1 V | 
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 | 
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 | 
| 資本金 | 100億円 | 
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 | 
| URL | http://am.renesas.com/ | 
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