2SB806-T2-AZ Renesas

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PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用|AZ:RohS対応品、かつ外部端子に鉛を含有していない製品

2SB806-T2-AZ の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SB806-T2-AZ
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 0.7 A
Collector-emitter Voltage-Max 120 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 90
JESD-30 Code R-PSSO-F3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type PNP
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 75 MHz
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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